650 V Gen 3 Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 2 A

MALVERN, Pa. — July 9, 2025 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today introduced three new Gen 3 650 V and 1200 V silicon carbide (SiC) Schottky diodes in the compact, low profile SlimSMA HV (DO-221AC) package. Featuring a merged PIN Schottky (MPS) design and minimum creepage distance of 3.2 mm, the 1 A VS-3C01EJ12-M3 and 2 A VS-3C02EJ07-M3 and VS-3C02EJ12-M3 combine low capacitive charge with temperature-invariant switching behavior to increase efficiency in high speed, hard-switching power designs.

Malvern, Pennsylvania (USA) – 9. Juli 2025 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat heute drei neue Gen 3-Siliziumkardid (SiC) Schottky-Dioden mit 650 V und 1200 V im kompakten, flachen SlimSMA HV (DO-221AC)-Gehäuse vorgestellt. Mit einem Merged PIN Schottky (MPS)-Design und einer Mindestkriechstrecke von 3,2 mm vereinen die 1-A-Diode VS-3C01EJ12-M3 und die 2-A-Dioden VS-3C02EJ07-M3 and VS-3C02EJ12-M3 eine geringe kapazitive Ladung mit einem temperaturunabhängigen Schaltverhalten, um den Wirkungsgrad in schnellen, hart schaltenden Stromversorgungsdesigns zu erhöhen.