High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, Surface Emitter Technology

Malvern, Pennsylvania (USA) – 17. Juli 2024 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) erweitert sein Optoelektronik-Portfolio mit der Einführung einer neuen 890-nm-Hochgeschwindigkeits-Infrarot (IR)-Emitter-Diode in einem klaren, ungetönten, bedrahteten Kunststoffgehäuse. Die auf Oberflächenemitter-Technologie basierende TSHF5211 von Vishay Semiconductors zeichnet sich durch einen hervorragenden Temperaturkoeffizienten der Durchlassspannung von -1,0 mV/K, eine höhere Strahlungsintensität und schnellere Anstiegs- und Abfallzeiten als die Bauelemente der vorherigen Generation aus.

MALVERN, Pa. — July 17, 2024 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) is broadening its optoelectronics portfolio with the introduction of a new 890 nm high speed infrared (IR) emitting diode in a clear, untinted leaded plastic package. Based on surface emitter technology, the Vishay Semiconductors TSHF5211 combines an excellent -1.0 mV/K temperature coefficient of VF with higher radiant intensity and faster rise and fall times than previous-generation devices.